implanted dopant

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• implanted dopant — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Dopant Activation — is the process of obtaining the desired electronic contribution from impurity species in a semiconductor host.[1] The term is often restricted to the application of thermal energy following the ion implantation of dopants. In the most common… …   Wikipedia

• ion-implanted impurity — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Random dopant fluctuation — (RDF) is a form of process variation resulting from variation in the implanted impurity concentration. In MOSFET transistors, RDF in the channel region can alter the transistor s properties, especially threshold voltage. In newer process… …   Wikipedia

• Implantationsstoff — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• implantierter Dotant — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• implantuotoji priemaiša — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно имплантированная примесь, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• impureté implantée — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• impureté implantée par ions — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ionenimplantierter Dotant — implantuotoji priemaiša statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanted dopant; implanted impurity; ion implanted impurity vok. Implantationsstoff, m; implantierter Dotant, m; ionenimplantierter Dotant, m rus. ионно… …   Radioelektronikos terminų žodynas